رشا صفوت
أعلنت شركة "إنتل" الأمريكية إحدى كبرى الشركات العالمية في تصنيع رقاقات ومعالجات أجهزة الكمبيوتر، بالتعاون مع شركة "مايكرون تكنولوجي" أكبر منتج لرقائق الذاكرة الإلكترونية في الولايات المتحدة الأمريكية، عن معيار جديد في تكنولوجيا "NAND" فلاش يتمثل في أول ذاكرة فلاش تعمل بتقنية 20 نانو متر بسرعة 128 جيجابايت وبسعة 16 جيجابايت، وذلك ضمن شراكتهما من خلال مشروع "joint IM Flash Technologies"، باستخدام تقنية الخلايا متعددة المستويات "Multi-Level-Cell"-"MLC"، دون الإشارة إلى عدد "البيتات"-"Bits" لكل خلية. وهذه التقنية الجديدة تتيح الحصول على ذاكرة تخزين ذات كثافة أكبر وسرعة تبادل أعلى وسعة تخزين مضاعفة.
وتتميز الرقاقة ذو 128 جيجابايت، بإمكانية تكوين هيكل مكون من ثمانية وحدات تخزينية بسعة 128 جيجابايت في حجم أصغر من عقلة الإصبع، حيث يمكنها تخزين بيانات يصل إلى واحد تيرابايت، وذلك وفقا للشركتين، كما تتسم بقدرتها على نقل بيانات بسرعة 333 ميجابايت في الثانية الواحدة، وذلك لدعم سرعة أداء التطبيقات بالهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوترات اللوحية ومحركات الأقراص الصلبة وكذلك الأجهزة المكتبة.
وتخطط الشركتان لإرسال عينات من منتجهما الجديد في مطلع يناير/كانون الثاني للعام المقبل، على أن يبدأ الإنتاج الضخم لهذه الرقاقات في النصف الأول من نفس العام.
في الوقت ذاته قررتا الشركتان بإنتاج كميات كبيرة لخط إنتاجهما من رقاقات "NAND" بسعة "64 جيجابايت" بتقنية 20 نانومتر.
الجدير بالذكر هنا أن إنتاج شرائح الذاكرة "NAND" تسير بوتيرة سريعة للغاية، ففي عام 2008 أنتجت الشركتان رقائق تعمل بتقنية 34 نانومتر، تلتها إنتاج ضخم من ذاكرات الفلاش بتقنية 25 نانومتر، بعدها نظيرتها بتقنية 22 نانومتر بسعة 8 جيجابايت، وها هي الآن تعلن عن جديدها بسعة 16 جيجابايت.
تجدر الإشارة هنا أن شركة سامسونغ أنتجت في منتصف أكتوبر للعام الماضي أول ذاكرة "NAND" للتخزين بسعة 8 جيجابايت باستخدام تقنية 20 نانومتر.
