أخبارنا المغربية - وكالات
أعلن علماء صينيون تطوير تقنية جديدة تتيح نمو أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد على نطاق الرقاقة بسرعة تفوق الطرق المعلنة سابقا بنحو ألف مرة، في خطوة علمية لفتت الانتباه داخل قطاع الرقائق المتقدمة. وبحسب المعطيات المنشورة، تعتمد التقنية على إنتاج غشاء أحادي الطبقة من مادة WSi2N4 القابلة للضبط من حيث التطعيم، وهي مادة يراها باحثون مرشحة للاستخدام في دوائر CMOS ثنائية الأبعاد.
وفي هذا السياق، أوضحت الورقة العلمية غير المحررة المنشورة في National Science Review أن الفريق نجح في تنمية أغشية أحادية الطبقة على مستوى الرقاقة باستخدام الترسيب الكيميائي للبخار فوق ركيزة سائلة من الذهب والتنغستن، مع بلوغ معدل نمو أعلى بثلاث مراتب من القيم المبلغ عنها سابقا. كما أشارت الورقة إلى أن هذا الأسلوب يتيح أيضا ضبط تركيز التطعيم أثناء النمو، بما يسمح بتحسين الخصائص الإلكترونية للمادة الناتجة.
كما يكتسي هذا التقدم أهمية خاصة لأن نقص المواد ثنائية الأبعاد من النوع الموجب p-type ظل يُعد أحد أبرز العوائق أمام تطوير إلكترونيات ما بعد قانون مور. وتؤكد دراسات حديثة في Nature Communications أن غياب نظير موجب قابل للتوسع على نطاق واسع ما يزال يمثل "عنق زجاجة" رئيسيا أمام بناء دوائر متكاملة متوسطة وكبيرة انطلاقا من مواد ثنائية الأبعاد، وهو ما يفسر الاهتمام المتزايد بأي إنجاز يخص هذا الجانب تحديدا.
ومن جهة أخرى، أظهرت النتائج التي تضمنتها الورقة أن المادة الجديدة حققت خصائص توصف بالتنافسية في الترانزستورات، من بينها سلوك شبه موصل موجب، وكثافة تيار تشغيل مرتفعة، ومقاومة تلامس منخفضة، إلى جانب استقرار كيميائي وحراري ملحوظ. وذكرت الدراسة أن هذه الأغشية استُخدمت أيضا في تصنيع مصفوفات من الترانزستورات، كما جرى دمجها مع MoS2 لبناء عاكس منطقي CMOS ثنائي الأبعاد، في مؤشر على قابلية استخدامها في تطبيقات الدوائر المنطقية.
