أخبارنا المغربية - وكالات
أعلن فريق بحثي من جامعة فودان الصينية عن ابتكار نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يُعد الأسرع في العالم حتى الآن، تحت اسم "PoX"، قادر على برمجة بت واحد في زمن قياسي يبلغ 400 بيكوثانية فقط، أي ما يعادل 25 مليار عملية كتابة في الثانية الواحدة، وهو ما يُمثّل قفزة نوعية في تكنولوجيا التخزين والذاكرة.
ويتميّز هذا الابتكار بقدرته على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، كما هو الحال في ذاكرات الفلاش التقليدية، لكنه يتفوق عليها من حيث السرعة بشكل هائل، حيث تفوق أداؤه سرعات الذاكرة المتطايرة مثل DRAM وSRAM التي كانت حتى الآن الأفضل من حيث الأداء، لكنها تفقد بياناتها بمجرد انقطاع التيار الكهربائي.
السر وراء هذه التقنية يعود إلى استبدال السيليكون التقليدي بقنوات مصنوعة من الغرافين ديراك ثنائي الأبعاد، مستفيدين من خصائصه في النقل الباليستي للشحنات، مما مكّن من تحقيق هذا الأداء الخارق. وأكد البروفيسور تشو بينغ، قائد الفريق، أن هذا التطور يُعيد رسم فيزياء شرائح الفلاش التقليدية، ويفتح الباب أمام استخدام الذاكرة غير المتطايرة في تطبيقات تتطلب سرعة عالية مثل الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة الطرفية.
ويمثل هذا الابتكار حلاً محتملاً لمشكلة الطاقة المرتفعة المرتبطة بنقل البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يُمكن لسرعة "PoX" الفائقة مع استهلاكها المنخفض للطاقة أن تحل محل ذاكرات التخزين المؤقت SRAM، مما يقلل من المساحة والطاقة المستهلكة في رقائق الذكاء الاصطناعي.
ويتوقع الباحثون أن تمكّن هذه التقنية من تشغيل الأجهزة المحمولة بشكل فوري، ودعم قواعد البيانات المتقدمة التي تتطلب بقاء مجموعات العمل في ذاكرة وصول دائم. وبينما لم يُكشف بعد عن أرقام التحمل والإنتاج، فإن توافق الغرافين مع تقنيات التصنيع الحالية قد يُسرّع إدخال هذا الابتكار إلى السوق، معزّزاً طموحات الصين للريادة في مجال الرقائق الدقيقة والتقنيات الذكية.
_1766608213.webp)
